Transistors bipolaires

Quelle différence de commande entre transistor bipolaire et MOSFET est correcte ?

  1. ALe transistor bipolaire est commandé par le courant de base, le MOSFET par la tension de grille (presque aucun courant continu ne circule dans la grille)
  2. BLe transistor bipolaire est commandé par la lumière, le MOSFET par la température
  3. CLes deux sont commandés par la tension de grille et aucun courant continu ne circule dans la borne de commande
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : A. Le transistor bipolaire est commandé par le courant de base, le MOSFET par la tension de grille (presque aucun courant continu ne circule dans la grille)

Le transistor bipolaire est un composant commandé en courant : le courant de base commande le courant de collecteur. Le MOSFET est commandé en tension, sa grille étant séparée par un isolant ; le courant de grille permanent est quasi nul, mais un courant de charge-décharge de la capacité de grille circule à chaque commutation. La puissance de commande est donc faible à basse vitesse, mais à haute vitesse et forte capacité, la capacité du circuit de commande devient importante. L'IGBT, commandé par une grille MOS, combine les avantages des deux.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Transistors bipolaires

  1. Dans un amplificateur en émetteur commun, avec une transconductance gm = 40 mS et une résistance de collecteur RC = 5 kΩ, quelle est approximativement l'amplitude du gain en tension ? (charge négligée)
  2. Quel est l'état des jonctions d'un transistor bipolaire en régime saturé ?
  3. Lorsqu'on trace les caractéristiques de sortie (IC-VCE) d'un transistor en émetteur commun avec le courant de base IB comme paramètre, quelle caractéristique du régime actif est correcte ?
  4. Que représente la « droite de charge » tracée sur les caractéristiques de sortie d'un amplificateur à transistor ?
  5. Quelle valeur est la plus proche du rendement maximal d'un amplificateur push-pull classe B idéal ?

Comparatifs sur ce thème