Semi-conducteurs de puissance
Pourquoi applique-t-on parfois une tension négative (par exemple −3 à −5 V) sur la grille à l'état bloqué lors de la commande de MOSFET SiC ou d'IGBT ?
- APour augmenter la fréquence de commutation
- BPour éviter que la variation de tension due au fonctionnement de l'interrupteur opposé ne fasse monter la tension de grille et ne provoque une conduction intempestive
- CPour réduire la résistance à l'état passant
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Réponse : B. Pour éviter que la variation de tension due au fonctionnement de l'interrupteur opposé ne fasse monter la tension de grille et ne provoque une conduction intempestive
Dans un circuit en pont, la variation brutale de tension (dv/dt) lors de l'amorçage de l'interrupteur opposé peut injecter, via la capacité Miller, un courant dans la grille du composant bloqué et faire monter sa tension de grille. Au-delà du seuil, celui-ci conduit intempestivement et provoque un court-circuit de bras. Les MOSFET SiC, au seuil bas de 2 à 3 V et au dv/dt élevé, exigent une attention particulière ; une tension de grille négative ou un circuit de clamp Miller assure la marge nécessaire.
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