Physique des semi-conducteurs
Quel est un facteur typique qui raccourcit la durée de vie des porteurs minoritaires dans le silicium ?
- ALes impuretés créant des niveaux profonds, comme l'or, et les défauts cristallins
- BLe refroidissement à température cryogénique
- CLe placement de la plaquette sous vide
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Réponse : A. Les impuretés créant des niveaux profonds, comme l'or, et les défauts cristallins
Les métaux lourds comme l'or ou le fer et les défauts cristallins créent des niveaux profonds au milieu de la bande interdite, qui servent de centres de recombinaison facilitant la recombinaison électron-trou (recombinaison SRH). Plus le niveau est proche du milieu, plus il favorise la recombinaison et raccourcit la durée de vie. À l'inverse, pour les diodes rapides et les IGBT, on raccourcit volontairement la durée de vie par diffusion de platine ou irradiation par électrons ou protons, afin d'éliminer rapidement les porteurs minoritaires stockés. La température cryogénique et le vide ne sont pas des facteurs typiques de raccourcissement de la durée de vie.
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