Quelle méthode est couramment utilisée pour limiter la canalisation (phénomène par lequel les ions pénètrent trop profondément en passant par les interstices du cristal) en implantation ionique ?

Réponse : C. Incliner le wafer de quelques degrés par rapport à l'axe cristallin lors de l'implantation

Lorsque les ions entrent dans l'alignement des rangées atomiques du cristal, ils passent par les interstices entre rangées (canaux), subissent peu de collisions et pénètrent plus profondément que prévu (canalisation). On la limite en inclinant le wafer d'environ 7° par rapport à l'axe cristallin et en décalant aussi la rotation, en implantant à travers un oxyde mince en surface (oxyde écran) qui disperse les directions, ou en amorphisant préalablement la surface. La queue profonde du profil diminue et la jonction devient moins profonde.