Quel est l'objectif principal de la surélévation par épitaxie du cristal au-dessus des ailettes dans les sources/drains des FinFET ?

Réponse : C. Réduire la résistance parasite et appliquer une contrainte au canal

Les ailettes étant fines (quelques nm de large), les sources/drains auraient en l'état une forte résistance et une faible surface de contact. La surélévation du cristal en forme de losange par épitaxie augmente la section, ce qui réduit la résistance et facilite la prise de contact. On utilise du SiGe riche en Ge pour les pMOS et du SiP fortement dopé au phosphore pour les nMOS, dont la différence de paramètre de maille contraint aussi le canal et augmente la mobilité.