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Transistors avancés (FinFET et GAA)

Quels composants sont étudiés pour franchir la barrière des 60 mV/déc de pente sous le seuil ?

  1. ALa diode
  2. BLe thyristor
  3. CLe FET à effet tunnel et le FET à capacité négative
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Réponse : C. Le FET à effet tunnel et le FET à capacité négative

Dans un MOSFET classique, les porteurs franchissent la barrière par activation thermique ; à température ambiante, la commutation ne peut être plus abrupte que 60 mV/déc, ce qui fait obstacle à la baisse de la tension d'alimentation. Le FET à effet tunnel conduit par effet tunnel bande à bande entre source et canal et n'est pas limité par la distribution thermique ; le FET à capacité négative amplifie en interne la tension de grille grâce à la capacité négative d'un ferroélectrique ; tous deux visent à passer sous cette limite. Le faible courant à l'état passant est notamment un défi.

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