첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)

FinFET의 소스·드레인에서 핀 위에 에피택셜 성장으로 결정을 융기시키는 주된 목적은?

  1. A트랜지스터를 발광시키기 위해
  2. B게이트 길이를 길게 하기 위해
  3. C기생 저항을 낮추고 채널에 변형을 가하기 위해
정답과 해설 보기

정답: C. 기생 저항을 낮추고 채널에 변형을 가하기 위해

핀은 폭이 수 nm로 가늘기 때문에 그대로는 소스·드레인의 저항이 크고 컨택트 면적도 작아집니다. 에피택셜 성장으로 결정을 마름모꼴로 융기시키면 단면적이 늘어 저항을 낮추고 컨택트를 취하기 쉬워집니다. pMOS에서는 Ge를 많이 포함한 SiGe, nMOS에서는 인을 고농도로 포함한 SiP 등을 사용하며, 격자상수의 차이로 채널에 변형을 가하여 이동도를 높이는 역할도 합니다.

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