Transistors avancés (FinFET et GAA)

Quelle est la caractéristique des matériaux comme le disulfure de molybdène (MoS2), étudiés comme matériaux de canal des futurs transistors ultra-miniaturisés ?

  1. ACe sont des métaux de quelques mm d'épaisseur
  2. BCe sont des matériaux 2D qui fonctionnent comme semi-conducteurs même avec une épaisseur de quelques couches atomiques
  3. CCe sont des isolants ne conduisant pas l'électricité
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Réponse : B. Ce sont des matériaux 2D qui fonctionnent comme semi-conducteurs même avec une épaisseur de quelques couches atomiques

Les dichalcogénures de métaux de transition comme le MoS2 sont des matériaux 2D qui conservent des propriétés semi-conductrices même en monocouche de trois atomes (environ 0,65 nm). Leur surface ne présentant pas de liaisons pendantes, leur mobilité se dégrade peu à l'amincissement. Le silicium aminci sous quelques nm voit au contraire sa mobilité chuter fortement par diffusion sur la rugosité de surface ; ces matériaux sont donc étudiés comme candidats de canal ultramince au-delà du GAA, mais le dépôt uniforme sur grande surface et les contacts de faible résistance restent des défis.

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