Moderne Transistoren (FinFET, GAA)

Was ist der Hauptzweck des epitaktischen Aufwachsens von Kristall auf den Finnen im Source und Drain des FinFET?

  1. ADen Transistor zum Leuchten zu bringen
  2. BDie Gate-Länge zu vergrößern
  3. CDen parasitären Widerstand zu senken und den Kanal zu verspannen
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Antwort: C. Den parasitären Widerstand zu senken und den Kanal zu verspannen

Da Finnen nur wenige nm breit sind, wäre der Widerstand von Source und Drain hoch und die Kontaktfläche klein. Wird Kristall epitaktisch rautenförmig aufgewachsen, vergrößert sich der Querschnitt, der Widerstand sinkt, und der Kontakt lässt sich leichter herstellen. Bei pMOS wird SiGe mit hohem Ge-Anteil, bei nMOS SiP mit hoher Phosphorkonzentration verwendet; durch den Unterschied der Gitterkonstanten wird der Kanal verspannt und die Beweglichkeit erhöht.

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