Schichtabscheidung (CVD, PVD)

Welche Kombination von Prozessgasen wird bei der Abscheidung von Siliziumnitrid (Si3N4) mittels thermischer CVD verwendet?

  1. ADichlorsilan und Ammoniak
  2. BSilan und Sauerstoff
  3. CWolframhexafluorid und Wasserstoff
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Antwort: A. Dichlorsilan und Ammoniak

LPCVD-Siliziumnitrid wird üblicherweise durch die Reaktion von Dichlorsilan (SiH2Cl2) und Ammoniak (NH3) bei etwa 700 bis 800 °C hergestellt (3SiH2Cl2 + 4NH3 → Si3N4 + 6HCl + 6H2), wobei dichte, nahezu stöchiometrische Schichten entstehen. Die Zusammensetzung wird durch einen Ammoniaküberschuss aufrechterhalten. Wird eine niedrige Temperatur benötigt, kommen PECVD oder ALD zum Einsatz. Silan und Sauerstoff dienen der Abscheidung von Oxid, WF6 und Wasserstoff der Abscheidung von Wolfram.

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