박막 증착(CVD와 PVD)

열 CVD로 실리콘 질화막(Si3N4)을 성막할 때 사용되는 원료 가스의 조합으로 올바른 것은?

  1. A디클로로실란과 암모니아
  2. B실란과 산소
  3. C육불화텅스텐과 수소
정답과 해설 보기

정답: A. 디클로로실란과 암모니아

LPCVD에 의한 실리콘 질화막은 디클로로실란(SiH2Cl2)과 암모니아(NH3)를 700~800 ℃ 정도에서 반응시켜 만드는 것이 일반적이며(3SiH2Cl2 + 4NH3 → Si3N4 + 6HCl + 6H2), 화학양론에 가까운 치밀한 막을 얻을 수 있습니다. 암모니아를 과잉으로 흘려 조성을 유지합니다. 저온이 필요한 경우에는 플라즈마 CVD나 ALD가 사용됩니다. 실란과 산소는 산화막, WF6와 수소는 텅스텐 성막에 사용됩니다.

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