Schichtabscheidung (CVD, PVD)

Welche Schicht entsteht, wenn bei der thermischen Zersetzung von Silan zur Abscheidung von Siliziumschichten die Abscheidetemperatur niedrig gewählt wird?

  1. AEinkristallines Silizium
  2. BAmorphes Silizium
  3. CSiliziumdioxid
Antwort und Erläuterung anzeigen

Antwort: B. Amorphes Silizium

Siliziumschichten aus der thermischen Zersetzung von Silan sind unterhalb von etwa 580 °C amorph und oberhalb davon polykristallin (Polysilizium). Wird zunächst amorph abgeschieden und danach lange bei etwa 600 °C getempert, wachsen die Kristalle bei wenigen Keimen, sodass Schichten mit größeren Körnern (höherer Beweglichkeit) entstehen als bei direkter Abscheidung. Bei Dünnschichttransistoren (TFT) für Flüssigkristalldisplays wird auch die Kristallisation per Laser eingesetzt.

Dieses Thema üben Zur Themenseite

Weitere Fragen zu Schichtabscheidung (CVD, PVD)

  1. Welches Beispiel für typische mit ALD abgeschiedene Materialien ist richtig?
  2. Was ist der Hauptzweck des Sputterverfahrens, bei dem gesputterte Atome ionisiert und durch eine am Wafer anliegende Vorspannung senkrecht herangezogen werden?
  3. Welcher Mechanismus fixiert in Abscheide- und Ätzanlagen den Wafer durch elektrostatische Kraft auf dem Tisch?
  4. Welche Kombination von Prozessgasen wird bei der Abscheidung von Siliziumnitrid (Si3N4) mittels thermischer CVD verwendet?
  5. Wie heißt das Verfahren, bei dem ein Titan-Target in einem stickstoffhaltigen Gas gesputtert wird, um eine Titannitridschicht (TiN) zu bilden?

Vergleiche zu diesem Thema