薄膜沉積（CVD與PVD） 將矽烷熱分解以沉積矽膜時，降低成膜溫度所得到的薄膜為下列何者？ A單晶矽 B非晶矽 C二氧化矽 查看答案與解析 正確答案：B. 非晶矽 由矽烷熱分解所得的矽膜，在低於約580 ℃的溫度為非晶質，更高溫則為多晶（多晶矽）。若先以非晶質成膜，再於600 ℃前後長時間熱處理，晶核少而晶體得以成長，因此可得到晶粒比直接成膜更大（遷移率更高）的薄膜。在液晶顯示器的薄膜電晶體（TFT）中，也使用雷射使其結晶化的方法。