Schichtabscheidung (CVD, PVD)
Welches Abscheideverfahren wird hauptsächlich zum Füllen von Gräben für Cu-Leitbahnen verwendet?
- AThermische Oxidation
- BElektrochemische Abscheidung (Galvanik)
- CIonenimplantation
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Antwort: B. Elektrochemische Abscheidung (Galvanik)
Beim Damascene-Verfahren werden in den Gräben zunächst durch Sputtern eine Barriereschicht (Ta/TaN usw.) und eine Cu-Keimschicht von einigen nm bis einigen zehn nm aufgebracht und danach das Cu durch elektrochemische Abscheidung eingefüllt. Dem Elektrolyten werden drei Additive zugesetzt (Suppressor, Beschleuniger, Leveler), sodass das Cu bevorzugt vom Grabenboden aus aufwächst („Bottom-up-Füllung“) und ohne Hohlräume (Voids) füllt. Die Galvanik erzeugt bei Raumtemperatur und Atmosphärendruck schnell und günstig dicke Schichten und ist daher das Standardverfahren für Kupferleitbahnen.