Halbleiter-Diagramme

Eine Galerie der in unseren Erklärungen verwendeten Diagramme: Halbleiterphysik, Bauelemente, Fertigungsprozesse und Entwurf. Jedes Diagramm verweist auf die Übungsfragen, in denen es vorkommt.

Ein ALD-Zyklus (Atomlagenabscheidung) — Ein ALD-Zyklus (Atomlagenabscheidung)

Beispiel für Aliasing — Beispiel für Aliasing

Energiebanddiagramm eines n-Halbleiters — Energiebanddiagramm eines n-Halbleiters

Badewannenkurve (Ausfallrate über der Zeit) — Badewannenkurve (Ausfallrate über der Zeit)

Bayer-Farbfilterarray — Bayer-Farbfilterarray

NPN-Transistor im aktiven Bereich — NPN-Transistor im aktiven Bereich

CMOS-Inverter — CMOS-Inverter

Regelkarte (Shewhart-Karte) — Regelkarte (Shewhart-Karte)

Ziehen eines Einkristalls nach dem Czochralski-Verfahren (CZ) — Ziehen eines Einkristalls nach dem Czochralski-Verfahren (CZ)

Herstellung von Kupferleitbahnen im Damascene-Verfahren — Herstellung von Kupferleitbahnen im Damascene-Verfahren

DRAM-Speicherzelle (1T1C) — DRAM-Speicherzelle (1T1C)

Querschnitte von isotropem und anisotropem Ätzen

Querschnitte eines planaren Transistors und eines FinFET — Querschnitte eines planaren Transistors und eines FinFET

Drahtbonden und Flip-Chip — Drahtbonden und Flip-Chip

Tiefenprofil der implantierten Dotierstoffe

Ablauf von Lithografie und Ätzen (Positivlack) — Ablauf von Lithografie und Ätzen (Positivlack)

Speicherhierarchie eines Computers — Speicherhierarchie eines Computers

Drainstrom des MOSFET in Abhängigkeit von der Drainspannung — Drainstrom des MOSFET in Abhängigkeit von der Drainspannung

Zwei Zustände eines magnetischen Tunnelkontakts (MTJ) — Zwei Zustände eines magnetischen Tunnelkontakts (MTJ)

Zellenkette (String) eines NAND-Flash — Zellenkette (String) eines NAND-Flash

Querschnitt eines n-Kanal-MOSFET (eingeschalteter Zustand) — Querschnitt eines n-Kanal-MOSFET (eingeschalteter Zustand)

Invertierender Verstärker mit Operationsverstärker — Invertierender Verstärker mit Operationsverstärker

Oxidwachstum durch thermische Oxidation — Oxidwachstum durch thermische Oxidation

Raumladungszone eines PN-Übergangs bei Sperrspannung — Raumladungszone eines PN-Übergangs bei Sperrspannung

Chipfläche und Ausbeute (gleiche Defektpositionen) — Chipfläche und Ausbeute (gleiche Defektpositionen)