什麼是RC延遲
由導線電阻(R)與電容(C)的乘積決定的訊號延遲。隨著微縮使導線變細而增大,限制了效能。
日文名稱: RC遅延
「RC延遲」出現在1領域的4道練習題中(配線製程等)。
這個名詞所屬的領域: 配線製程
由導線電阻(R)與電容(C)的乘積決定的訊號延遲。隨著微縮使導線變細而增大,限制了效能。
日文名稱: RC遅延
「RC延遲」出現在1領域的4道練習題中(配線製程等)。
這個名詞所屬的領域: 配線製程
正確答案:B. 4倍
導線的電阻R與電容C都與長度成正比,因此RC延遲與長度的平方成正比,長度加倍時約變為4倍。因此在長導線中途插入緩衝器(中繼器)加以分段,可將延遲降低到幾乎與長度成正比。先進晶片中放入了數十萬至數百萬個中繼器,其功耗也不容忽視。使用上層較粗的導線也是出於相同目的。
導線的電阻R與電容C都與長度成正比,因此RC延遲與長度的平方成正比,長度加倍時約變為4倍。
在不改變導線剖面形狀與導線間距的情況下,將導線長度加倍,導線的RC延遲約變為幾倍?導線間距變窄時,導線間的電容會增大,使訊號延遲(RC延遲)、充放電的功耗與串音增加。
層間絕緣膜採用Low-k(低介電常數)材料,主要目的為下列何者?即使只有1 mm這麼短的距離,剖面為100 nm見方的導線也會有這麼大的電阻,與導線電容(1 mm約0.2 pF)組合後,RC延遲達數百ps。
電阻率2 µΩ·cm的導線,長度1 mm、寬度與厚度各為100 nm時,電阻約為多少?RC延遲是電阻與電容的乘積,因此太厚就不再有改善,功耗與串音也會增加。
在不改變導線寬度的情況下增加其厚度(高度)時的影響,下列何者正確?低介電常數材料(Low-k) CMP(化學機械研磨) 深寬比 多層金屬導線 串擾 矽化物 阻障金屬 保護層(Passivation) 背面供電 氣隙