功率半導體
關於IGBT的說明，下列何者正確？
- A僅具有2個PN接面的2端子元件
- B以MOS閘極驅動，並藉由雙極性動作的導電度調變獲得低導通電壓的元件
- C照光即導通的閘流體
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正確答案：B. 以MOS閘極驅動，並藉由雙極性動作的導電度調變獲得低導通電壓的元件
IGBT是結合MOSFET的輸入部與雙極性電晶體的輸出部的元件，結構上在汲極側加上p+層。由於可用電壓驅動，驅動電路簡單；導通時，從p+層注入的電洞會大幅降低漂移層的電阻（導電度調變），因此即使在600 V～6.5 kV的高耐壓下，也能降低導通電壓。它是EV、鐵路、工業用逆變器的主力，但因為有尾電流，不適合高頻。