IGBT與功率MOSFET的差異：使用時機比較

正確答案：B. 以MOS閘極驅動，並藉由雙極性動作的導電度調變獲得低導通電壓的元件

IGBT是結合MOSFET的輸入部與雙極性電晶體的輸出部的元件，結構上在汲極側加上p+層。由於可用電壓驅動，驅動電路簡單；導通時，從p+層注入的電洞會大幅降低漂移層的電阻（導電度調變），因此即使在600 V～6.5 kV的高耐壓下，也能降低導通電壓。它是EV、鐵路、工業用逆變器的主力，但因為有尾電流，不適合高頻。

正確答案：A. MOSFET適合較低電壓的高速切換，IGBT適合數百V以上的高電壓、大電流

矽MOSFET僅以多數載子運作，因此速度快，但耐壓一高導通電阻就急遽增大，所以大致用於數百V以下，尤其是低電壓的電源。IGBT藉由導電度調變，即使高耐壓也能將導通電壓維持得低，適合600 V以上的大電流用途（EV、工業用逆變器、鐵路），但因尾電流而偏慢。如今在這中間～高耐壓的領域，SiC MOSFET正逐漸取代兩者。

正確答案：B. 尾電流

IGBT在導通時會向漂移層注入少數載子（電洞）以降低電阻，因此截止時，電流會一直流通到這些載子經由複合或被抽出而消失為止。這就是尾電流；由於它是在電壓已上升的狀態下流通，成為截止損耗增大的主要原因，並將IGBT的切換頻率限制在數十kHz以下。可藉由生命週期控制或場截止結構來縮短它。MOSFET則沒有這種現象。