功率半導體

在切換逆變器的上下開關時,設置讓兩者都截止的短暫時間(死區時間)之目的為下列何者?

  1. A為了使效率達到最大
  2. B為了防止上下開關同時導通而使電源短路
  3. C為了讓開關發光
查看答案與解析

正確答案:B. 為了防止上下開關同時導通而使電源短路

由於開關截止需要時間,若在使其中一個截止的同時讓另一個導通,會有一瞬間兩者同時導通而使電源短路(直通,shoot-through)。死區時間就是為防止這種情況而設的雙方都截止的期間,IGBT為數µs,SiC與GaN則為數十~數百ns。太長的話,輸出電壓會產生誤差而使馬達電流波形失真,續流二極體的導通時間也會增加,因此要配合元件設定為最小限度。

練習這個領域 前往領域頁面

功率半導體的其他題目

  1. SiC MOSFET的本體二極體持續流通電流時,特性可能劣化,其已知的原因為下列何者?
  2. 作為GaN功率元件採用日益增加的常見產品範例,下列何者正確?
  3. 關於功率半導體的主要作用,下列何者正確?
  4. 導通電阻為10 mΩ的功率MOSFET流通10 A電流時,導通損耗為多少?
  5. 在功率元件上安裝散熱片(散熱器)的主要目的為下列何者?

這個領域的比較