先進電晶體（FinFET與GAA）
下列關於 DIBL（汲極引致能障降低，Drain Induced Barrier Lowering）的說明，何者正確？
- A閘極絕緣膜隨時間而被破壞的現象
- B配線的金屬原子因電流而移動的現象
- C汲極電壓越高，源極側的電位能障越降低，臨界電壓下降的現象
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正確答案：C. 汲極電壓越高，源極側的電位能障越降低，臨界電壓下降的現象
閘極長度短時，汲極的電場會延伸到源極附近，使源極與通道之間的電位能障降低。結果是汲極電壓越高，臨界電壓越低，關閉時的漏電流也越大。DIBL 以「汲極電壓每 1 V 的臨界電壓變化量（mV/V）」表示，先進電晶體須將其抑制在數十 mV/V 以下。在放大電路中，它也是使輸出電阻下降的原因。