在閘極與汲極重疊的部分，因強電場而流過能帶間穿隧電流，使關閉時的漏電流增加，這個現象是下列何者？

正確答案：C. GIDL（閘極誘發汲極漏電）

即使電晶體關閉，只要閘極與汲極之間施加較大電壓，汲極的閘極端附近能帶就會強烈彎曲，因能帶間穿隧效應而有電流流過。這就是GIDL，其特徵是閘極電壓越負越增加。在DRAM的單元電晶體等必須將漏電壓到極小的元件中會成為問題，需藉由汲極端的濃度與電場設計來抑制。DIBL是汲極電壓造成的臨界值下降，NBTI則是pMOS的劣化。