什麼是基板偏壓效應
在源極與基板(本體)之間施加逆向偏壓時,空乏層的電荷增加而使臨界電壓上升的現象。也稱為本體效應。有時也用於調整臨界電壓。
日文名稱: 基板バイアス効果
這個名詞所屬的領域: MOSFET
在源極與基板(本體)之間施加逆向偏壓時,空乏層的電荷增加而使臨界電壓上升的現象。也稱為本體效應。有時也用於調整臨界電壓。
日文名稱: 基板バイアス効果
這個名詞所屬的領域: MOSFET
反轉層 平帶電壓 次臨界擺幅 貫穿(Punch-through) 貫穿電流 通道長度調變 速度飽和 短通道效應 傳輸閘 臨界電壓