什麼是位元線
用來讀寫記憶單元資料的配線。在 DRAM 中，由感測放大器放大單元電荷所造成的位元線微小電位變化。
日文名稱: ビット線
「位元線」出現在3領域的12道練習題中（SRAM與快閃記憶體, 邏輯電路, 新世代記憶體等）。
這個名詞所屬的領域: DRAM
練習位元線的題目
SRAM 讀取時，預先將位元線充電至電源電壓等的動作稱為什麼？
- A更新
- B抹除
- C預充電
對 SRAM 單元寫入時，要將其中一條位元線拉低到 0 V 以反轉單元狀態。此時，對存取電晶體的要求，下列何者正確？
- A驅動能力要比單元內的上拉電晶體（pMOS）足夠強
- B驅動能力要比單元內任何電晶體都弱
- C必須一直保持關閉
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正確答案：A. 驅動能力要比單元內的上拉電晶體（pMOS）足夠強
寫入時，必須透過存取電晶體把儲存節點拉到 0，克服想要維持 1 的上拉 pMOS，因此存取電晶體要設計得比 pMOS 足夠強（上拉比）。另一方面，為了讀取穩定性，又必須比下拉 nMOS 弱（單元比），這三者驅動能力的平衡是 SRAM 設計的核心。
解析中的「位元線」
SRAM 讀取時，首先將成對的位元線預充電到電源電壓，以字元線選擇單元後，保存 0 的那一側位元線會透過存取電晶體稍微放電。
SRAM 讀取時，預先將位元線充電至電源電壓等的動作稱為什麼？NOR快閃記憶體之名，源自其記憶單元並聯到位元線的結構類似NOR。
2輸入NOR閘的輸出何時為1？6T SRAM 單元由閂鎖電路（4 個電晶體，兩個反相器彼此的輸出接到對方的輸入）與 2 個控制位元線連接的存取電晶體所組成。
下列關於一般 6 電晶體型 SRAM 單元的組成，何者正確？NOR 型的各單元並聯至位元線，隨機讀取快，適合直接執行程式碼。
與 NOR 型相比，NAND 型快閃記憶體的特徵，下列何者正確？NOR 型的各單元並聯至位元線，隨機存取快，因此 CPU 可以直接從記憶體讀取並執行程式（XIP：Execute In Place）。
NOR 型快閃記憶體的代表性用途為何？
出現「位元線」的題目（12題）
- SRAM 讀取時，預先將位元線充電至電源電壓等的動作稱為什麼？
- 對 SRAM 單元寫入時，要將其中一條位元線拉低到 0 V 以反轉單元狀態。此時，對存取電晶體的要求，下列何者正確？
- 2輸入NOR閘的輸出何時為1？
- 下列關於一般 6 電晶體型 SRAM 單元的組成，何者正確？
- 與 NOR 型相比，NAND 型快閃記憶體的特徵，下列何者正確？
- NOR 型快閃記憶體的代表性用途為何？
- 在 6T SRAM 上追加讀取專用電晶體的 8T SRAM 單元，其優點下列何者正確？
- NAND 快閃記憶體中，設置在串聯記憶單元兩端的選擇電晶體，其作用下列何者正確？
- NAND 快閃記憶體中，反覆施加逐步提高電壓的寫入脈衝，並在每次確認臨界電壓的同時進行寫入，這種方式是下列何者？
- 6T SRAM 單元為了讓單元內容在讀取時不被反轉（防止讀取破壞），所需的設計下列何者正確？
- 防止低電壓下 SRAM 寫入失敗的「寫入輔助」，下列何者為例？
- 電容型 FeRAM 的讀取特徵，下列何者正確？
相關名詞
預充電 6T SRAM 單元 字元線 感測放大器 CMOS 遷移率 更新(Refresh) 快取記憶體 NAND 型快閃記憶體 NOR 型快閃記憶體