什麼是預充電

在記憶體讀出之前，預先將位元線充電至既定電位(DRAM 中為電源電壓的一半等)的動作。在 DRAM 中，也指關閉原本開啟的列、準備啟動下一列的操作。

日文名稱: プリチャージ

「預充電」出現在1領域的2道練習題中（SRAM與快閃記憶體等）。

這個名詞所屬的領域: DRAM

練習預充電的題目

SRAM 讀取時，預先將位元線充電至電源電壓等的動作稱為什麼？

  1. A更新
  2. B抹除
  3. C預充電
查看答案與解析

正確答案：C. 預充電

SRAM 讀取時，首先將成對的位元線預充電到電源電壓，以字元線選擇單元後，保存 0 的那一側位元線會透過存取電晶體稍微放電。不必等到全擺幅，一旦形成數十～一百 mV 的差距，感測放大器就會放大，因此能高速讀取。讀取結束後再次預充電，為下一次存取做準備。

6T SRAM 單元為了讓單元內容在讀取時不被反轉（防止讀取破壞），所需的設計下列何者正確？

  1. A使存取電晶體比下拉電晶體更強
  2. B移除上拉電晶體
  3. C使下拉（驅動）電晶體比存取電晶體更強
查看答案與解析

正確答案：C. 使下拉（驅動）電晶體比存取電晶體更強

讀取時，電流會從預充電的位元線透過存取電晶體流入保存 0 的節點，使電壓稍微上升。若下拉電晶體比存取電晶體足夠強（單元比 β = 下拉／存取 為 1.5～2.5 左右），這個上升量就能被抑制在小於對側反相器的臨界值，資料不會反轉。使用 8T 單元或讀取輔助也能對策。

解析中的「預充電」

出現「預充電」的題目（2題）

  1. SRAM 讀取時，預先將位元線充電至電源電壓等的動作稱為什麼？
  2. 6T SRAM 單元為了讓單元內容在讀取時不被反轉（防止讀取破壞），所需的設計下列何者正確？

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