DRAM
在DRAM的讀取中，位元線上出現的電壓變化非常小，其原因下列何者正確？
- A因為電源電壓非常高
- B因為位元線的電阻為0
- C因為單元電容的容量遠小於位元線的寄生電容
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正確答案：C. 因為單元電容的容量遠小於位元線的寄生電容
讀取時，單元的電荷會與位元線分攤。單元電容Cs（約10 fF）小於位元線電容Cb（約其數倍～10倍），因此電壓變化約為 (VDD/2)·Cs/(Cs + Cb)，只有數十～一百數十mV。為了確保這個比值（傳輸比），會限制連接到1條位元線的單元數以減小Cb。感測放大器再藉由正回授將微小的差異一口氣放大，以判定0/1。