실리콘 웨이퍼

SOI 웨이퍼의 대표적인 제조 방법으로 올바른 것은?

  1. A실리콘을 열산화하는 것만으로 매립 산화막을 만든다
  2. B웨이퍼를 녹였다가 재결정시킨다
  3. C수소 이온을 주입한 웨이퍼를 다른 웨이퍼에 접합하고, 주입한 깊이에서 박리하여 얇은 실리콘층을 남긴다
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정답: C. 수소 이온을 주입한 웨이퍼를 다른 웨이퍼에 접합하고, 주입한 깊이에서 박리하여 얇은 실리콘층을 남긴다

스마트 컷법에서는 표면을 열산화하고 수소 이온을 수백 nm 깊이에 주입한 웨이퍼를 지지 기판과 접합합니다. 수백 ℃의 열처리로 주입된 수소가 미세한 공동을 만들어 층 모양으로 이어지고, 그 깊이에서 박리되어 산화막 위에 얇은 단결정 실리콘층이 남은 SOI 웨이퍼가 만들어집니다. 표면을 CMP로 마감하여 두께를 nm 단위로 맞춥니다. 떼어낸 나머지 웨이퍼는 다시 연마하여 재사용할 수 있습니다.

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