氧化與擴散
關於半導體製造中雜質的「擴散」,下列說明何者正確?
- A以電場將雜質朝單一方向加速打入的方法
- B將雜質溶於液體中沖洗掉
- C雜質原子藉由熱,從濃度高處向濃度低處擴散開來的現象
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正確答案:C. 雜質原子藉由熱,從濃度高處向濃度低處擴散開來的現象
擴散是原子因熱運動,使雜質從濃度高的區域向濃度低的區域擴散開來的現象,溫度越高進行越快。矽中的雜質是藉由與空缺(原子脫離後留下的洞)或間隙矽交換位置而移動。過去曾利用這種現象從表面導入雜質,但現在多半是在離子佈植導入後的熱處理中發生擴散,如何抑制它已成為課題。
- A. 以電場加速打入的是離子佈植。
- B. 沖洗掉的是清洗,不是擴散。
- C. 正確。這是藉由熱從高濃度向低濃度擴散的現象。