氧化與擴散

關於半導體製造中雜質的「擴散」,下列說明何者正確?

  1. A以電場將雜質朝單一方向加速打入的方法
  2. B將雜質溶於液體中沖洗掉
  3. C雜質原子藉由熱,從濃度高處向濃度低處擴散開來的現象
查看答案與解析

正確答案:C. 雜質原子藉由熱,從濃度高處向濃度低處擴散開來的現象

擴散是原子因熱運動,使雜質從濃度高的區域向濃度低的區域擴散開來的現象,溫度越高進行越快。矽中的雜質是藉由與空缺(原子脫離後留下的洞)或間隙矽交換位置而移動。過去曾利用這種現象從表面導入雜質,但現在多半是在離子佈植導入後的熱處理中發生擴散,如何抑制它已成為課題。

  • A. 以電場加速打入的是離子佈植。
  • B. 沖洗掉的是清洗,不是擴散。
  • C. 正確。這是藉由熱從高濃度向低濃度擴散的現象。
練習這個領域 前往領域頁面

氧化與擴散的其他題目

  1. 關於矽熱氧化層的典型用途,下列何者正確?
  2. 擴散係數 D 的單位,下列何者正確?
  3. 關於菲克第一定律的內容,下列何者正確?(J:擴散通量,D:擴散係數,C:濃度,x:位置)
  4. 在相同溫度下擴散雜質時,若將擴散時間變為 4 倍,雜質擴散開來的距離大約為幾倍?
  5. 在熱擴散中,表面雜質濃度維持固定的擴散(定表面濃度擴散)與擴散固定量雜質的情況(有限量擴散),兩者分布形狀的組合,下列何者正確?