산화와 확산
산소 라디칼을 사용하는 라디칼 산화의 특징으로 올바른 것은?
- A비교적 낮은 온도에서도 양질의 산화막을 만들 수 있고, 면방위에 따른 산화 속도 차이도 작다
- B반드시 1200 ℃ 이상의 고온이 필요하다
- C산화막의 두께가 면방위에 따라 크게 다르다
정답과 해설 보기
정답: A. 비교적 낮은 온도에서도 양질의 산화막을 만들 수 있고, 면방위에 따른 산화 속도 차이도 작다
플라즈마 등으로 생성한 산소 라디칼은 반응성이 높아 400~600 ℃ 정도의 비교적 낮은 온도에서도 열산화에 가까운 양질의 산화막을 형성할 수 있습니다. 일반적인 열산화에 비해 면방위에 따른 산화 속도 차이나 모서리 부분의 산화 지연이 작고 질화막도 산화할 수 있어, FinFET의 핀이나 3D NAND와 같은 입체적인 구조, 열 예산이 엄격한 공정의 산화에 사용되고 있습니다.