Verdrahtungsprozesse
Lernen Sie anhand von Multiple-Choice-Fragen die Grundlagen der Verdrahtungsprozesse kennen – Kupferleitbahnen und das Damascene-Verfahren, Low-k-Materialien und RC-Verzögerung.
Die Fragen zu diesem Thema folgen in Kürze.
Verdrahtungsprozesse: Das Wichtigste
In einem IC werden Transistoren durch viele Lagen von Metallleitbahnen verbunden. Mit fortschreitender Skalierung begrenzte die durch Leitungswiderstand und -kapazität verursachte Verzögerung (RC-Verzögerung) die Leistung, und die Verdrahtungsmaterialien wurden entsprechend verbessert.
Kupferleitbahnen, die einen geringeren Widerstand als Aluminium haben, lassen sich schwer trocken ätzen und werden daher im Damascene-Verfahren hergestellt: Gräben werden gefüllt und der Überschuss wird per CMP entfernt. Für die Zwischenisolationsschichten werden Low-k-Materialien mit niedriger Dielektrizitätskonstante verwendet.