先端トランジスタ(FinFET・GAA)

モノリシック3D集積が、別々につくったチップを貼り合わせて積む3D実装より、層の間をはるかに高い密度で接続できる主な理由として正しいものはどれか。

  1. A上下の層をはんだのバンプでつなぐため
  2. B層の間を光の配線でつなぐため
  3. C上の層を下の層の上で直接つくり、リソグラフィで位置合わせするため、通常の配線のビアと同程度の大きさで接続できるから
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正解:C. 上の層を下の層の上で直接つくり、リソグラフィで位置合わせするため、通常の配線のビアと同程度の大きさで接続できるから

チップやウエハを貼り合わせる方式では、貼り合わせの位置合わせの精度や接続部の大きさで接続の密度が決まります。モノリシック3D集積では、1層目の上に薄い半導体層を形成または貼り付け、2層目のトランジスタをリソグラフィで位置合わせしてつくるため、層の間を配線のビアと同程度の細かさで接続できます。代わりに、下の層を傷めないよう、上の層はおおむね500 ℃以下でつくる必要があります。

  • A. はんだのバンプはピッチが大きく、高密度な接続には向きません。
  • B. 層の間は通常の金属のビアでつなぎます。
  • C. 正しい。リソグラフィの精度で位置を合わせられることが理由です。
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