先進電晶體（FinFET與GAA）
下列關於作為未來極微小電晶體通道材料而研究的二硫化鉬（MoS2）等材料之特徵，何者正確？
- A是厚度數 mm 的金屬
- B是即使只有數層原子的厚度仍能作為半導體運作的二維材料
- C是不導電的絕緣體
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正確答案：B. 是即使只有數層原子的厚度仍能作為半導體運作的二維材料
MoS2 等過渡金屬二硫族化物是二維材料，即使只有相當於 3 個原子（約 0.65 nm）的單層，仍保有半導體的性質。由於表面沒有多餘的懸鍵，即使變薄遷移率也不易下降。矽若薄到數 nm 以下，會因表面粗糙造成的散射而使遷移率大幅降低，因此二維材料正被研究作為 GAA 之後的極薄通道候補，但大面積均勻成膜與低電阻接觸仍是課題。