想要蝕刻氧化層並在其下方的氮化層處停止時，必須具備下列何者？

正確答案：C. 氧化層對氮化層的高蝕刻選擇比

想在氮化層處停止時，需要氧化層蝕刻得快、氮化層幾乎不被蝕刻的條件。若使用C4F6或C4F8等碳比例高的氟碳化物氣體，氮化層上會堆積聚合物而使反應停止，而在氧化層上氧氣會消耗聚合物使蝕刻得以進行，因此對氮化層可取得數十以上的選擇比。這在自對準接觸的形成等方面很重要。