DRAM
驅動DRAM字元線的電壓使用高於電源電壓的升壓電壓(VPP),其主要理由是下列何者?
- A為了不再需要更新
- B為了避免電壓下降閘值電壓的份量,以足夠的電壓寫入電容
- C為了降低位元線的電壓
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正確答案:B. 為了避免電壓下降閘值電壓的份量,以足夠的電壓寫入電容
單元電晶體是nMOS,因此若閘極維持在電源電壓,電容就只能寫入低了Vth的電壓。以比電源電壓高出Vth以上的VPP(例如約2.5~3 V)驅動字元線,就能對電容寫入完整的「1」電壓,並確保讀取的餘裕。VPP由晶片內的電荷泵產生,閘極絕緣膜則被設計成能承受此電壓的厚度。
- A. 即使升壓,仍然需要更新。
- B. 正確。是為了避免閘值電壓造成的電壓降。
- C. 並不是為了降低位元線的電壓。