薄膜沉積(CVD與PVD)
在濺鍍中,為了提高成膜速率一般會採取的做法為下列何者?
- A加大施加於靶材的功率
- B將氣體壓力提高到極端的程度
- C將施加於靶材的功率降為0
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正確答案:A. 加大施加於靶材的功率
加大施加於靶材的功率後,撞擊靶材的離子數量與能量增加,被擊出的原子增多,因此成膜速率幾乎與功率成正比上升。對300 mm用的靶材,有時會施加數十kW的功率。但由於投入功率的大部分會變成熱,必須將靶材水冷以防止溫度上升、破裂與接合層熔化,同時也要注意對膜質的影響。
薄膜沉積(CVD與PVD)
正確答案:A. 加大施加於靶材的功率
加大施加於靶材的功率後,撞擊靶材的離子數量與能量增加,被擊出的原子增多,因此成膜速率幾乎與功率成正比上升。對300 mm用的靶材,有時會施加數十kW的功率。但由於投入功率的大部分會變成熱,必須將靶材水冷以防止溫度上升、破裂與接合層熔化,同時也要注意對膜質的影響。