nMOS 與 pMOS 的差異：載子、遷移率、臨界電壓、在 CMOS 中的角色比較
nMOS 是由電子、pMOS 是由電洞流過通道的 MOSFET，所有電壓的方向都相反。nMOS 在閘極高於源極時導通，pMOS 則在閘極低於源極時導通。在矽中，電子的遷移率約為電洞的 2～3 倍，因此在相同尺寸下 nMOS 能流過較大的電流。在 CMOS 電路中，由 nMOS 負責將輸出拉向接地、pMOS 負責將輸出拉向電源，並加寬 pMOS 的閘極寬度以使驅動力一致。
| 項目 | nMOS | pMOS |
|---|---|---|
| 結構 | 在 p 型基板或 p 井中形成 n⁺ 的源極與汲極 | 在 n 井中形成 p⁺ 的源極與汲極 |
| 流過通道的載子 | 電子 | 電洞 |
| 遷移率（矽的反轉層） | 大。約為電洞的 2～3 倍 | 小 |
| 臨界電壓（增強型，以源極為基準） | 正（例：+0.3 V） | 負（例：−0.3 V） |
| 導通條件 | VGS > Vth。使閘極高於源極 | VGS < Vth（負）。使閘極比源極低 |Vth| 以上 |
| 在 CMOS 中源極的連接處 | 接地端 | 電源（VDD）端 |
| 在 CMOS 中的角色 | 下拉。將輸出拉向接地。在 NAND 中串聯，在 NOR 中並聯 | 上拉。將輸出拉向電源。在 NAND 中並聯，在 NOR 中串聯 |
| 作為開關容易傳遞的值 | 能良好傳遞 0。1 只能升到 VDD − Vth 左右 | 能良好傳遞 1。0 只能降到 |Vth| 左右 |
| 相同驅動力所需的閘極寬度 | 基準（1 倍） | 基本上約為 nMOS 的 2～3 倍 |
| 提高遷移率的應變 | 拉伸應變（應力襯層、Si:C 源極／汲極等） | 壓縮應變（SiGe 源極／汲極等） |
| 代表性的劣化 | PBTI（在 High-k／金屬閘極中成為問題） | NBTI |
數值為具代表性的大致參考值，會因世代或產品而異。