增強型與空乏型 MOSFET 的差異：臨界電壓、符號、用途比較
增強型是在閘極電壓為 0 V 時沒有通道，必須對閘極施加電壓形成反轉層後才會有電流流過的 MOSFET（常閉型，normally-off）。空乏型則預先形成了通道，閘極為 0 V 時也有電流流過，對閘極施加反向電壓使通道消失後，電流才會停止（常開型，normally-on）。在 n 通道中，增強型的臨界電壓為正，空乏型為負。包括 CMOS 邏輯電路在內，幾乎所有用途都使用增強型。
| 項目 | 增強型 | 空乏型 |
|---|---|---|
| 閘極為 0 V 時 | 沒有通道，關閉（常閉型） | 有通道，導通（常開型） |
| 臨界電壓的正負（n 通道） | 正 | 負 |
| 臨界電壓的正負（p 通道） | 負 | 正 |
| 通道的形成方式 | 以閘極電壓在基板表面感應出反轉層 | 以離子佈植等方式，預先在表面形成薄的通道層 |
| 截止電流的方法（n 通道） | 將閘極電壓降到臨界值以下（設為 0 V 即可） | 對閘極施加負電壓，使通道空乏 |
| 名稱的由來 | 以閘極電壓增加通道（enhance） | 以閘極電壓減少通道（deplete） |
| 電路符號 | 通道的線為分成 3 段的虛線 | 通道的線為 1 條實線 |
| 驅動電路停止時 | 會關閉，因此安全 | 可能導通，需注意短路等問題 |
| 主要用途 | CMOS 邏輯電路、功率 MOSFET、類比電路等幾乎所有用途 | 早期 NMOS 邏輯的負載元件、定電流源、電源的啟動電路等 |
數值為具代表性的大致參考值，會因世代或產品而異。