MOSFET

增強型p通道MOSFET的臨界電壓(以源極為基準)的正負號為下列何者?

  1. A正值
  2. B負值
  3. C必定為0 V
查看答案與解析

正確答案:B. 負值

在pMOS中,對閘極施加比源極低的電壓時,n型基板(n井)表面會形成電洞的反轉層而導通。因此增強型pMOS的臨界電壓為負值(例如 −0.4 V)。在電路中可這樣理解:將源極接到電源VDD,使閘極比VDD低|Vth|以上就會導通。設計資料中為避免正負號混淆,常以絕對值|Vth|來比較。

練習這個領域 前往領域頁面

MOSFET的其他題目

  1. 從放大電路的輸入側來看,閘極-汲極間的電容看起來被放大為(1 + 增益)倍,這種效應稱為什麼?
  2. 在多晶矽閘極中,閘極電極側的多晶矽發生空乏所造成的問題,下列何者正確?
  3. 降低MOSFET的臨界電壓時,一般的影響為下列何者?
  4. 關於CMOS的2輸入NAND閘的電晶體連接方式,下列何者正確?
  5. 在閘極與汲極重疊的部分,因強電場而流過能帶間穿隧電流,使關閉時的漏電流增加,這個現象是下列何者?

這個領域的比較