MOSFET

為了使CMOS反相器的邏輯臨界電壓約為電源電壓的一半,下列何種設計是正確的?

  1. A移除nMOS
  2. B將電源電壓設為0 V
  3. C使pMOS與nMOS的驅動能力平衡,將pMOS的閘極寬度加寬至大於nMOS
查看答案與解析

正確答案:C. 使pMOS與nMOS的驅動能力平衡,將pMOS的閘極寬度加寬至大於nMOS

由於電洞的遷移率小於電子,相同尺寸下pMOS的驅動能力較低,邏輯臨界值會偏向接地側。將pMOS的閘極寬度設為nMOS的2~3倍以使驅動能力一致,邏輯臨界值就會約為電源電壓的一半,上下的雜訊容限相等,上升與下降的延遲也趨於一致。不過這會增加面積與輸入電容,因此在重視速度的電路中,也會刻意縮小此比例。

練習這個領域 前往領域頁面

MOSFET的其他題目

  1. 關於將nMOS與pMOS並聯的傳輸閘(transmission gate)的優點,下列何者正確?
  2. 對MOSFET的閘極-源極間施加遠超過額定的電壓時,可能發生下列何種損壞?
  3. MOSFET通道的遷移率小於矽晶體內部的遷移率,其主要原因為下列何者?
  4. 在短通道MOSFET中,汲極電流小於(VGS − Vth)的平方律,轉而呈現接近一次方的相依性,其主要原因為下列何者?
  5. 下列何者是大致表示CMOS邏輯閘延遲時間的適當公式?(C:負載電容,V:電源電壓,I:驅動電流)

這個領域的比較