イオン注入

数MeVに及ぶ高エネルギーのイオン注入が使われる用途の例として正しいものはどれか。

  1. A表面のごく浅い接合の形成
  2. Bイメージセンサやパワーデバイスなどで、深い位置に不純物を導入する
  3. C金属配線の形成
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正解：B. イメージセンサやパワーデバイスなどで、深い位置に不純物を導入する

高エネルギーのイオン注入では、表面から数µmの深い位置に不純物を導入できます。CMOSイメージセンサの深いフォトダイオードや画素の分離、パワーデバイスの深い層、レトログレードウェルの形成などに使われます。

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