リードディスターブとは
りーどでぃすたーぶ
NANDフラッシュで同じブロックを何度も読み出すうちに、読み出していないセルにも弱い電圧がかかり、しきい値電圧が少しずつ変化する現象。
この用語の分野: SRAM・フラッシュメモリ
りーどでぃすたーぶ
NANDフラッシュで同じブロックを何度も読み出すうちに、読み出していないセルにも弱い電圧がかかり、しきい値電圧が少しずつ変化する現象。
この用語の分野: SRAM・フラッシュメモリ
これがリードディスターブで、数万〜数十万回の読み出しで問題になります。
NANDフラッシュで、同じブロックを何度も読み出すうちに、読み出していないセルのしきい値電圧が少しずつ変化してしまう現…しきい値電圧 ウェアレベリング SLC(シングルレベルセル) NVMe FNトンネル電流(ファウラー・ノルドハイム) 書き込み増幅(ライトアンプリフィケーション) ガベージコレクション 3D NAND TLC(トリプルレベルセル) 電荷トラップ型セル