什麼是讀取干擾

在 NAND 快閃記憶體中，反覆讀取同一區塊的過程中，連未讀取的單元也會受到微弱電壓，使臨界電壓逐漸改變的現象。

日文名稱: リードディスターブ

「讀取干擾」出現在2領域的2道練習題中（SRAM與快閃記憶體, 新世代記憶體等）。

這個名詞所屬的領域: SRAM與快閃記憶體

練習讀取干擾的題目

NAND 快閃記憶體中，反覆讀取同一區塊時，未被讀取的單元的臨界電壓會逐漸改變，這種現象稱為什麼？

  1. A損耗平均
  2. B讀取干擾（Read Disturb）
  3. C垃圾回收
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正確答案：B. 讀取干擾（Read Disturb）

NAND 讀取時，會對未選擇的單元也施加數 V 的通過電壓使其導通，因此反覆讀取後會有少量電子被注入，臨界電壓逐漸上升。這就是讀取干擾，在數萬～數十萬次讀取時會成為問題。在集中了高讀取頻率資料的區塊中容易發生，控制器會計算讀取次數，接近上限時就把資料重新寫到別的區塊。

STT-MRAM 中，必須限制讀取電流大小的理由，下列何者正確？

  1. A讀取電流大的話，MTJ 的電阻會永久改變
  2. B因為讀取電流也會產生自旋力矩，過大時會誤使記錄層的磁化反轉
  3. C讀取電流大的話，磁性層會熔化
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正確答案：B. 因為讀取電流也會產生自旋力矩，過大時會誤使記錄層的磁化反轉

STT-MRAM 的讀取與寫入都是對 MTJ 通以電流，因此若讀取電流接近寫入的反轉電流，每次讀取都可能機率性地使磁化反轉（讀取干擾）。所以讀取電流要設計得遠小於寫入電流，但太小則訊號變弱，讀取變慢且容易出錯。隨著元件微縮而寫入電流下降，這種兼顧就越困難。

解析中的「讀取干擾」

出現「讀取干擾」的題目（2題）

  1. NAND 快閃記憶體中，反覆讀取同一區塊時，未被讀取的單元的臨界電壓會逐漸改變，這種現象稱為什麼？
  2. STT-MRAM 中，必須限制讀取電流大小的理由，下列何者正確？

相關名詞

臨界電壓 STT-MRAM 磁性穿隧接面(MTJ) 3D NAND 6T SRAM 單元 垃圾回收 非揮發性記憶體 浮動閘極 損耗平均 電荷捕捉型單元

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