リードディスターブ란?
りーどでぃすたーぶ
NANDフラッシュで同じブロックを何度も読み出すうちに、読み出していないセルにも弱い電圧がかかり、しきい値電圧が少しずつ変化する現象。
일본어 명칭: リードディスターブ
분야: SRAM과 플래시 메모리
りーどでぃすたーぶ
NANDフラッシュで同じブロックを何度も読み出すうちに、読み出していないセルにも弱い電圧がかかり、しきい値電圧が少しずつ変化する現象。
일본어 명칭: リードディスターブ
분야: SRAM과 플래시 메모리
3D NAND 6T SRAMセル 不揮発性メモリ 書き込み増幅(ライトアンプリフィケーション) 電荷トラップ型セル FNトンネル電流(ファウラー・ノルドハイム) NAND型フラッシュメモリ NOR型フラッシュメモリ NVMe SLC(シングルレベルセル)