間接遷移型란?

かんせつせんいがた

伝導帯の底と価電子帯の頂上の運動量(波数)がずれているバンド構造。遷移にフォノンが必要で発光しにくい。シリコンやゲルマニウムが代表例。

일본어 명칭: 間接遷移型

분야: 반도체 물리

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