電荷トラップ型セルとは

でんかとらっぷがたせる

フローティングゲートの代わりに、シリコン窒化膜などの絶縁膜の中のトラップに電子を蓄えるフラッシュメモリのセル。3D NANDで主に使われる。

この用語の分野: SRAM・フラッシュメモリ

解説の中の「電荷トラップ型セル」

「電荷トラップ型セル」が出てくる問題(1問)

  1. 3D NANDで多く使われている電荷トラップ型セルで、電荷を蓄える層の材料として一般的なものはどれか。

関連する用語

3D NAND フローティングゲート ウェアレベリング SLC(シングルレベルセル) NVMe FNトンネル電流(ファウラー・ノルドハイム) 書き込み増幅(ライトアンプリフィケーション) ガベージコレクション TLC(トリプルレベルセル) TRIM

用語集の一覧へ