산화와 확산

열산화로 형성한 SiO2 막의 비유전율에 가장 가까운 값은?

  1. A약 1
  2. B약 3.9
  3. C약 25
정답과 해설 보기

정답: B. 약 3.9

열산화막(SiO2)의 비유전율은 약 3.9로, 게이트 절연막의 성능을 비교하는 EOT(등가 산화막 두께)의 기준이 됩니다. 질소를 더한 SiON은 5~6 정도, 질화막(Si3N4)은 약 7, High-k 재료인 산화 하프늄은 약 20~25입니다. 반대로 배선 사이에 사용하는 Low-k 재료는 약 3 이하이며, 공기(약 1)를 포함시킨 다공질 막이나 에어 갭도 사용됩니다. 용도에 따라 높은 유전율과 낮은 유전율을 구분해 사용합니다.

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