첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)

GAA 다음 세대 구조로 연구되고 있는 CFET(Complementary FET)의 특징으로 올바른 것은?

  1. A게이트 전극을 없애 구조를 단순하게 한다
  2. BnMOS와 pMOS를 수직 방향으로 쌓아 셀의 면적을 줄인다
  3. C트랜지스터를 평면형으로 되돌린다
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정답: B. nMOS와 pMOS를 수직 방향으로 쌓아 셀의 면적을 줄인다

CFET은 CMOS 회로를 구성하는 nMOS와 pMOS를 옆으로 나란히 두는 것이 아니라 나노시트를 위아래로 쌓는 구조로, 같은 기능의 회로를 절반 가까운 면적으로 만들 수 있을 가능성이 있습니다. n과 p에 서로 다른 재료나 게이트 금속을 만들어 나누는 공정이 복잡하고, 위아래 트랜지스터로의 배선 인출도 과제입니다. 2030년대 실용화를 목표로 연구 개발이 진행되고 있습니다.

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