첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)

SOI(Silicon On Insulator) 구조에 대한 설명으로 올바른 것은?

  1. A게이트 절연막을 사용하지 않는 트랜지스터 구조
  2. B매립 산화막 위의 얇은 실리콘층에 트랜지스터를 만드는 구조
  3. C칩을 2장 겹친 구조
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정답: B. 매립 산화막 위의 얇은 실리콘층에 트랜지스터를 만드는 구조

SOI는 실리콘 기판 안에 매립한 산화막(BOX층) 위의 얇은 실리콘층에 트랜지스터를 만드는 구조입니다. 소자가 기판과 절연되므로 접합 용량과 누설 전류가 작고 래치업도 일어나지 않습니다. 웨이퍼는 산화막을 입힌 웨이퍼를 접합한 뒤 한쪽을 얇게 만드는 스마트컷법 등으로 제작됩니다. 고주파 스위치(RF-SOI)나 저소비전력용 FD-SOI에 널리 사용됩니다.

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