에피택셜 성장

선택 에피택셜 성장에 대한 설명으로 올바른 것은?

  1. A웨이퍼 전면에 균일하게 성장시킨다
  2. B비정질 막을 골라서 성장시킨다
  3. C실리콘이 노출된 부분에만 결정을 성장시키고 절연막 위에는 성장시키지 않는다
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정답: C. 실리콘이 노출된 부분에만 결정을 성장시키고 절연막 위에는 성장시키지 않는다

선택 에피택셜 성장에서는 염산(HCl)을 첨가하는 등의 방법으로 실리콘이 노출된 부분에만 결정을 성장시키고, 산화막이나 질화막 위에 생기려는 핵은 식각으로 제거합니다. 첨단 CMOS의 소스·드레인에 SiGe나 SiP를 매립하여 채널에 변형을 가하고 저항도 낮추는 공정, FinFET의 융기 소스·드레인, GAA 나노시트의 적층 등에 사용됩니다.

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