將濺射出的原子游離，並以施加於晶圓的偏壓使其垂直被引入的濺鍍方式，其主要目的為下列何者？

正確答案：A. 改善深孔或深溝槽底部的薄膜覆蓋（底部覆蓋率）

一般的濺鍍中，原子從各種方向飛來，因此深孔底部不易附著薄膜。離子化濺鍍（iPVD）使從靶材擊出的原子在高密度電漿中游離，再以施加於晶圓的偏壓使其垂直被引入，因此高深寬比孔洞的底部也容易附著薄膜。此外還可將底部的薄膜再濺射到側壁上，用於Cu配線的阻障層與晶種層的形成。