Degradatieverschijnsel waarbij de absolute waarde van de drempelspanning geleidelijk toeneemt als een negatieve spanning op de gate van een pMOS staat bij hoge temperatuur.
Japanse benaming: NBTI
“NBTI” komt voor in 5 oefenvragen uit 2 onderwerpen, bijv. Betrouwbaarheid, MOSFET.
Vakgebied: Betrouwbaarheid
Antwoord: C. GIDL (gate-induced drain leakage)
Ook als de transistor uit is, wordt de band bij een grote spanning tussen gate en drain nabij de gaterand van de drain sterk gebogen en loopt er stroom door band-naar-band-tunneling. Dit is GIDL, en kenmerkend is dat het toeneemt naarmate de gatespanning negatiever wordt. Het is een probleem bij elementen waarvan de lek extreem klein moet zijn, zoals de celtransistor van DRAM, en wordt onderdrukt via het ontwerp van concentratie en veld aan de drainrand. DIBL is verlaging van de drempel door de drainspanning en NBTI is degradatie van de pMOS.
Antwoord: A. NBTI
NBTI (Negative Bias Temperature Instability) is een degradatie waarbij door een negatieve gatespanning en hoge temperatuur op een pMOS de Si-H-bindingen aan het Si/SiO2-grensvlak breken en grensvlaktoestanden toenemen, en ook positieve lading in de isolerende laag wordt opgeslagen, zodat de absolute waarde van de drempelspanning groter wordt. Omdat de werkingssnelheid van de schakeling over jaren geleidelijk daalt, wordt in het ontwerp rekening gehouden met een marge voor de degradatie. Kenmerkend is ook dat een deel herstelt als de belasting wordt weggenomen.
DIBL is verlaging van de drempel door de drainspanning en NBTI is degradatie van de pMOS.
Welk verschijnsel is het waarbij door een sterk elektrisch …NBTI (Negative Bias Temperature Instability) is een degradatie waarbij door een negatieve gatespanning en hoge temperatuur op een pMOS de Si-H-bindingen aan het Si/SiO2-grensvlak breken en grensvlaktoestanden toenemen, en ook positieve lading in de isolerende laag wordt opgeslagen, zodat de absolute waarde van de drempelspanning groter wordt.
Welk degradatieverschijnsel is het, waarbij de absolute waa…NBTI is degradatie die ook zonder stroom optreedt en latch-up is het geleiden van een parasitaire thyristor.
Welk verschijnsel is het, waarbij ladingdragers die door he…TDDB en NBTI zijn degradatie in de tijd, HTOL en HAST zijn versnelde levensduurtests.
Welke combinatie van benamingen is juist voor de ESD-testmo…Het is het tegenstuk van NBTI bij pMOS, en beide maken de schakeling trager.
Hoe heet de degradatie waarbij bij een nMOS-transistor met …Drempelspanning (threshold voltage) Grensvlaktoestanden (interface traps) Latch-up GIDL (gate-induced drain leakage) Via DIBL LDD-structuur ESD (elektrostatische ontlading) HBM (high bandwidth memory) TDDB (time-dependent dielectric breakdown)